• 贴片式tf卡Nandflash芯片试用体验
•   雷龙发展Nandflash芯片试用体验  一、项目背景  最近自己开始准备了一个智能家居控制系统项目，需要包含室内的温湿度、空气质量、烟雾浓度以及气体含量，能够存储相应的数据，并进行显示。  Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。  SDNAND内置FLASH管理算法  二、产品解析  NOR和NAND是市场上两种主要的非...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 闪存芯片,存储芯片,NOR FLASH,SPI NOR FLASH,NOR 发帖人：雷龙发展 发帖时间：2024-06-05 17:45:00

• 什么是NAND型Flash存储器？
• 前言NANDFlash和NORFlash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORFlash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDFlash结构,后者的单元电路尺寸几乎只是NOR器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。1.NANDFlashROMNANDFlashROM应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机，肯定会考虑64GB，还是256GB？买笔记本是买256GB，还是512GB容量的硬盘呢？（目前电脑大部分采用了基...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 闪存芯片,存储芯片,NOR FLASH,SPI NOR FLASH,SD NAND FLASH 发帖人：雷龙发展 发帖时间：2024-03-01 17:32:00

• 串行SPINOR闪存VS并行NOR闪存
• NOR闪存由于其可靠的数据存储而已在嵌入式设备中广泛使用了很长时间。对于某些低功耗应用，串行SPINOR闪存变得比并行NOR闪存设备更受欢迎。与串行SPINOR闪存相比，并行NOR闪存具有并行性，因此吞吐量更高。但是随着串行SPINOR闪存设备中多通道（2-8条并行数据线）支持的出现，它现在在低功耗设备中变得越来越流行。这些闪存设备主要用于嵌入式系统中以存储引导代码，有时还用作存储元素。这些引导设备使用就地执行（在此称为XIP）方法来执行本机存储设备中的代码。XIP方法与代码在执行之前首先从其起始位置移动的方法形成对比。由于无需在执行之前移动代码，XIP方法通常会减少所需的内存组件数量并缩短...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 串行SPI NOR闪存,并行NOR闪存,NOR闪存 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2021-02-01 17:29:00

• 非易失性存储器EEPROM
• 非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是通过高于普通电压的作用来擦除和重编程;且可以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入。但由于EEPROM的存储容量一般不大，因此主要应用在小存储数据的场合，比如电脑的BIOSROM芯片和配置信息存储等。EEPROM选型EEPROM特点EEPROM解决了传统ROM/OTP只能出厂前或...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,EEPROM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-12-11 15:10:00

• 通用选择器将大大提高MRAM存储技术能力
• 一种称为UniversalSelector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存储位单元，从而使制造商可以在同一面积内嵌入多达五倍的存储器，而所需的晶片处理成本却最低。MRAM存储器可以抵抗高辐射，也可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM存储器适用于汽车和工...
• 所属专栏： 技术交流 标签： MRAM,MRAM存储器,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-10-10 16:27:00

• 非易失性存储器MRAM技术介绍
• MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁层﹑薄绝缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁层极化的电子会通过一个称为“穿遂”的过程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时，MTJ结构具有低电阻;而当自由层的磁矩方向与固定层反向平行(anti-parallel)时，则具有高电阻。随着设备磁性状态的改变,电阻也会变化，这种...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-21 13:52:00

• 汽车应用中具有耐久性的赛普拉斯NOR闪存Semper系列
• 赛普拉斯NOR闪存首款经过架构设计并满足汽车行业用于构建故障安全嵌入式汽车系统的ISO26262功能安全标准的存储器。在汽车应用中常见的极端温度下具有出色的耐久性和数据保留能力。汽车的安全标准是构建新的NOR闪存架构的关键驱动力。赛普拉斯能够凭借其MCU和SOC专业知识与众不同。即时能力至关重要，因为现在每辆汽车都至少具有用于ADAS的后视摄像头-组合仪表的快速启动要求一直是赛普拉斯Hyperbus技术的关键市场。不仅需要NOR闪光灯的组合仪表和照相机。赛普拉斯还将动力总成，发动机控制装置和底盘控制装置视为一个巨大的市场，并且由于高温，可靠性至关重要，因此NOR闪存成为首选技术。Semper...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 赛普拉斯NOR闪存,NOR闪存,NOR flash 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-09-03 16:51:00

• NOR闪存开始汽车领域的发展
• 随着汽车变得越来越智能，并需要更多的存储空间，很多技术都在为驾驶员的座位而折腾，但是可以肯定地说，NOR闪光灯至少可以使用shot弹枪。凭借其可编程能力，NOR闪存在许多应用中是EEPROM的后继产品，它在需要快速，非易失性存储器的应用领域（包括通信，工业和汽车应用）中找到了新的机遇。当然由于自动驾驶汽车的发展，后者受到了广泛的关注。NOR闪存在无线电中起步-不需要大量内存的汽车应用。但是在过去的十年中，远程信息处理以及中控台的所有功能都提高了对内存的需求。今天如果没有数字显示屏，您将无法出售汽车。集群不需要12兆位，甚至需要1千兆位，而不是需要1兆SPINOR闪存的无线电。在高性能系统中，...
• 所属专栏： 技术交流 标签： NOR闪存,SPI NOR闪存,非易失性存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-27 14:48:00

• ISSI为汽车和工业市场推出符合AEC-Q100要求的512MbSPINOR闪存
• ISSI是一家无晶圆厂的半导体公司，为以下主要市场设计开发和销售高性能集成电路：汽车和通信，工业和医疗以及数字消费者。ISSI的主要产品是SRAM，DRAM存储，包括NOR闪存，NAND闪存和托管NAND解决方案（eMMC）的闪存，以及模拟和混合信号集成电路。ISSI代理宇芯电子提供高质量的半导体产品，一直是致力于存储器产品的长期供应商。并为客户提供技术及产品应用解决方案等。对ISSI汽车级512Mb串行（SPI）NOR闪存产品支持-40C至125C的宽工作温度范围，使其非常适合下一代汽车，工业和物联网（IoT）应用。512MbSPINOR器件超出了AECQ100的要求，并已准备就绪，可用于...
• 所属专栏： 新品推荐活动 标签： SPI NOR闪存,ISSI,512Mb SPI NOR闪存,NOR闪存,汽车电子 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-24 14:22:00

• 非易失性存储器MRAM的两大优点
• 新式存储器技术队伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技术、材料、设备等环节的关键突破，正迈向大规模量产的路上，眼前我们正处于见证存储器历史的转折点。新式存储器可分为独立型产品，以及嵌入于逻辑工艺，用于取代部分传统的嵌入式快闪存储器eFlash技术，而在嵌入式技术上，趋势已快速成熟中。但用于独立型存储器上，目前还有性能、成本的问题待克服。MRAM为磁性随机存取存储器，架构是在晶体管中的存储单元就在后端互联，甚至不占用“硅”的面积，可以做到直接嵌入到逻辑的电路里，因此可以做的非常小，一个晶体管一个存储单元。再者PCRAM就是相变随机存取存储器，以及ReRAM是叫电阻随机存取存储器，比MR...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 非易失性存储器,MRAM,SRAM,存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-30 16:27:00